Produktmodell

SKM200GAR125D

Einführung

IGBT-Modul

Marke und Hersteller

Semikron International

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz, schnelle Schaltgeschwindigkeiten, niedrige Sättigungsspannung, hohe Effizienz

Produktleistung

Verbesserte thermische Leistung, robust gegen hartes Schalten, minimale Leistungsverluste bei hohen Frequenzen, optimiert für Hochleistungsanwendungen

Technische Spezifikationen

Transistor Typ: IGBT, Konfiguration: Halbrobrücke, Spannung - Kollektor-Emitter-Abbau (max): 1,2 kV, Strom - Kollektor (Ic) (max): 200 A, Leistung - Max: 1,25 kW, Vce(on) (max) @ Vge, Ic: 2,5 V @ 15 V, 200 A, Schaltenergie: 2,8 mJ (ein), 4,5 mJ (aus)

Abmessungen, Form und Verpackung

Modulverpackung, rechteckige Form, Größe und Verpackung geeignet für industrielle Montage

Qualität und Zuverlässigkeit

Hochwertige Materialien für verlängerte Zuverlässigkeit, entworfen für raue industrielle Umgebungen, strenge Qualitätsprüfungen für Langlebigkeit

Produktvorteile

Geringe Leitungsverluste, optimiert für Mittel- und Hochfrequenzanwendungen, positiver温度koeffizient für einfaches Parallelschalten

Wettbewerbsfähigkeit des Produkts

Wettbewerbsfähig in hochbelasteten elektrischen Anwendungen, entspricht den Branchenstandards für Leistung, weithin akzeptiert in der Leistungselektronik

Kompatibilität

Kompatibel mit einer breiten Palette von Gate-Treibermodulen, geeignet für verschiedene invertierende und nicht-invertierende Anwendungen

Standardzertifizierung und Konformität

Entspricht RoHS-Standards, konform mit internationalen Halbleiterstandards

Lebensdauer und Nachhaltigkeit

Lange Betriebslebensdauer, reduzierter CO2-Fußabdruck durch Effizienz

Tatsächliche Anwendungsbereiche

Motorantriebe, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Solarwechselrichter, Windturbinen, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge

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